• توجه: در صورتی که از کاربران قدیمی ایران انجمن هستید و امکان ورود به سایت را ندارید، میتوانید با آیدی altin_admin@ در تلگرام تماس حاصل نمایید.

ارائه روشی نوین برای افزایش بازدهی سلول‌های خورشیدی از سوی محققان ایرانی

parisa

متخصص بخش
پژوهشگران دانشگاه صنعتی شریف با همکاری پژوهشگرانی از دانشگاه‌های جامای اسپانیا و ‏توکیوی ژاپن در یک کار تحلیلی، میزان ولتاژ در سلول‌های خورشیدی حساس شده با نقاط کوانتومی را مورد بررسی قرار دادند و موفق به ارائه ‏روش‌هایی جهت افزایش بازدهی این سلول‌ها شدند.‏

به گزارش سرویس فناوری ایسنا، تاکنون در حوزه سلول‌های خورشیدی حساس شده با نقاط کوانتومی اکثر محققان دنباله رو تحقیقات انجام شده در ‏زمینه سلول‌های خورشیدی حساس شده با رنگدانه بوده‌اند که این امر به دلیل تشابه این دو گونه از سلول‌ها است.

به گفته ‏دکتر محمود صمدپور، یکی از محققان این طرح، در این مقاله تحقیقی نشان داده شد که تفاوت‌های اساسی بین این دو ‏گونه از سلول وجود دارد و رویکردهای جدیدی برای افزایش بازدهی سلول‌های خورشیدی حساس شده با نقاط کوانتومی ‏ارائه شده است.‏

این تحقیقات که توسط پنج تن از محققان دانشگاه‌های صنعتی شریف، جامای اسپانیا و توکیوی ژاپن انجام شده ‏است، در حوزه‌هایی مربوط به انرژی با استفاده از سلول‌های خورشیدی می‌تواند کاربرد داشته باشد.‏

دکتر محمود صمدپور، فارغ التحصیل دکتری نانوفیزیک دانشگاه صنعتی شریف، در این باره گفت: به منظور تحقق ‏هدف خود در این موضوع، ابتدا تیم ما به مرور مقالات و تعریف مساله حل نشده پرداخت که در نهایت امر به ‏برنامه‌ریزی مناسبی برای انجام این کار تحقیقاتی دست پیدا کردیم. این کار که حاصل تحقیقات تجربی و تئوری شش ماهه ‏تیم حاضر است، توانسته با تحلیل نتایج بدست آمده، روش‌های نوینی برای افزایش بازدهی سلول‌های خورشیدی ‏حساس شده با نقاط کوانتومی ارائه کند.


به گفته صمدپور، این تیم با استفاده از این تحقیقات توانسته است بخشی از ‏مشکلات افت ولتاژ در سلول‌های خورشیدی حساس شده با نقاط کوانتومی را بر طرف کنند.

همچنین در این کار روش ‏جدیدی برای افزایش بازدهی سلول‌های خورشیدی حساس شده با نقاط کوانتومی و راهکاری جهت افزایش ولتاژ ارائه ‏شده است.‏ فناوری نانو در این کار تحقیقاتی نقش بسزایی داشته و به گفته دکتر صمدپور باعث افزایش بازدهی سلول‌های ‏خورشیدی شده است.

وی در توضیح مکانیزم آن نیز خاطرنشان کرد: به واسطه ساختارهای نانومتری به کار رفته در آند سلول، ‏سطح موثر آن به طور چشم‌گیری افزایش یافته است.‏


در این تحقیقات، دکتر اعظم ایرجی‌زاد از پژوهشکده علوم و فناوری نانو دانشگاه صنعتی شریف، دکتر ‏نیما تقوی نیا از دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شریف، دکتر ایوان از دانشکده فیزیک دانشگاه جاما کشور اسپانیا و دکتر ‏تویودا از دانشگاه توکیو ژاپن همکاری کرده اند.


نتایج این کار تحقیقاتی در مجله ‏«Electrochimica Acta‏» (جلد 75، 30 جولای سال 2012) منتشر شده است. ‏‎
سه‌شنبه ۲۸ آذر ۱۳۹۱
 
بالا