ahmadfononi
معاونت انجمن
تا کنون پردازنده‌ها پیشرفت زیادی داشته‌اند و با سرعت‌های فوق العاده و تعداد هسته‌های زیاد درست شده‌اند اما حافظه‌های DRAM که عموما RAM خوانده می‌شوند پیشرفت چندانی نداشته‌اند و نتوانسته اند نیاز لازم برای کار در کنار پردازنده‌های جدید را تامین کنند حتی با آمدن DRAM های DDR3 هم هنوز این مشکل برطرف نشده است . چند ماه پیش دو شرکت Micron و Samsung برای افزایش سرعت و قدرت DRAM ها دست به کار شدند تا بتوانند حافظه‌هایی تولید کنند که سرعت لازم برای کار در کنار پردازنده‌های قدرتمند را داشته باشد حالا که 2 ماه از آن قضیه می‌گذرد دو شرکت Micron و IBM شروع به انجام پروژه‌ی تحقیقاتی کرده‌اند که قصد دارند در آن حافظه‌هایی 3 بعدی طراحی و تولید کنند .
DRAM های 3 بعدی که این دو شرکت قصد تولید آن را دارند از قرار گرفتن 3 تراشه‌ی DRAM به صورت عمودی و کنار هم درست می‌شود و مجموعه‌ای قوی تشکیل می‌دهند برای ارتباط این تراشه‌ها با قسمت اصلی از یک سازه‌ی جدید به نام through-silicon vias ( TSV ) استفاده می‌شود این TSV ها مانند لوله‌هایی عمودی بین قسمت اصلی و تراشه‌ها ارتباط بر قرار می‌کند که قابلیت انتقال اطلاعات با سرعت 128GBps را فراهم می‌سازد طبق گفته‌ی IBM این چیپ ها 70 درصد نسبت به DRAM های فعلی قدرتمندتر هستند .
IBM و Micron امیدوار هستند که بتوانند این پروژه را که به عنوان یک بخش مهم برای کمک به کار مشترک Samsung و Micron به حساب می‌آید را تا 2 سال دیگر به بهره برداری برسانند و بتوانند از آن‌ها در سرورها استفاده کنند .