رکورد جدید بازدهی سلول‌های خورشیدی
بازدهی مؤثر سلول‌های خورشیدی به رکورد جدیدی رسید. فیزیکدانان دانشگاته آلتو در فنلاند و فرانهوفر آلمان بازدهی سلول‌های خورشیدی سیاه را به ۱۸.۷ درصد رساندند، که بیشترین مقدار ثبت شده است. این پژوهشگران از پراش بورون برای بوجود آوردن پُل الکتریکی pn استفاده کردند که ویژگی‌های اُپتیکی ساختار سیلیکُن سیاه را دارد. با اعمال لایه اتمی Al203 گذر مؤثر سطوح نانوساختار این امکان فراهم شد. رکورد قبلی ۱۸.۲ درصد بود که دپارتمان انرژی ایالات متحده با استفاده از اکسیداسیون گرمایی بصورت لایه‌ی گذار به ان دست یافته بود.پروفسور هله ساوین، از دانشگاه آلتو می‌گوید:«اندازه‌گیری‌های کوانتمی مشخص می‌کند که نانوساختار در مقابل سطح، از کیفیت الکتریکی بالایی نسبت به سطح هرمی بافتی عمل می‌کند.» و همین نشان می‌دهد باید منتظر بازدهی بالای ۲۰ درصد هم باشیم. مقاله‌ی این دو تیم تحت عنوان«Passivation of Black Silicon Boron Emitters with ALD Al2O3» در کنفرانس بین المللی بلورهای فوتوالکتریک سیلیکُن در بهار ۲۰۱۳ ارائه شد.
منبع خبر : سرويس فعالیت‌های علمی رشد
بازدهی مؤثر سلول‌های خورشیدی به رکورد جدیدی رسید. فیزیکدانان دانشگاته آلتو در فنلاند و فرانهوفر آلمان بازدهی سلول‌های خورشیدی سیاه را به ۱۸.۷ درصد رساندند، که بیشترین مقدار ثبت شده است. این پژوهشگران از پراش بورون برای بوجود آوردن پُل الکتریکی pn استفاده کردند که ویژگی‌های اُپتیکی ساختار سیلیکُن سیاه را دارد. با اعمال لایه اتمی Al203 گذر مؤثر سطوح نانوساختار این امکان فراهم شد. رکورد قبلی ۱۸.۲ درصد بود که دپارتمان انرژی ایالات متحده با استفاده از اکسیداسیون گرمایی بصورت لایه‌ی گذار به ان دست یافته بود.پروفسور هله ساوین، از دانشگاه آلتو می‌گوید:«اندازه‌گیری‌های کوانتمی مشخص می‌کند که نانوساختار در مقابل سطح، از کیفیت الکتریکی بالایی نسبت به سطح هرمی بافتی عمل می‌کند.» و همین نشان می‌دهد باید منتظر بازدهی بالای ۲۰ درصد هم باشیم. مقاله‌ی این دو تیم تحت عنوان«Passivation of Black Silicon Boron Emitters with ALD Al2O3» در کنفرانس بین المللی بلورهای فوتوالکتریک سیلیکُن در بهار ۲۰۱۳ ارائه شد.
منبع خبر : سرويس فعالیت‌های علمی رشد